История

Общество с ограниченной ответственностью «Тандем Электроника» создано в 2003 г. группой единомышленников, много лет успешно проработавших на крупных предприятиях микроэлектроники бывшего Союза ССР.

По замыслу создателей компании, в наименовании «Тандем Электроника», «Тандем» означает «союз», «соединение» высокотехнологичной продукции, процессов её изготовления и коммерческих подходов в продвижении этой продукции на рынке, а «электроника» указывает на сферу деятельности компании.

Основным партнером-поставщиком ИЭТ и производственной базой для изготовления продукции по системе фаундри-производства был изначально и остается в настоящее время наш уважаемый партнер — флагман Белорусской микроэлектроники — ОАО «Интеграл». Также, по заказу ОАО «Интеграл» и заводов, входящих в этот холдинг, нашими инженерами были разработаны и переданы конструкции и технология для фаундри-производства МОСФЕТ транзисторов 3 поколения, а также IGBT транзисторов и ряда ИМС. Со временем также были установлены надежные взаимоотношения с поставщиками и фаундри-производителями Юго-Восточной Азии.

Прямые и стабильно развивающиеся отношения с предприятиями-производителями изделий ЭКБ позволяют нашей компании обеспечивать потребителей высококачественной продукцией, изготовленной по современным технологиям, отвечающим требованиям общемирового уровня, по оптимальным ценам строго в согласованные сроки.

Наши разработки:

Дата Работы
Октябрь 2017 Разработана серия масштабированных мощных МОП транзисторов 4-й генерации на напряжение 600-650В и ток 1-7А
Август 2017 Усовершенствована технология и конструкция охраны 4-й генерации 400 – 600 В мощных МОП транзисторов с целью уменьшения их площади на 20-35%
Июнь 2016 Разработаны DC-DCмодули питания на напряжение 65 – 120 В и мощность 5 – 15 Вт
Сентябрь 2015 Разработаны DC-DCмодули питания на напряжение 15 – 40 В и мощность 5 – 15 Вт
Июль 2014 Разработан комплект кристаллов для IPM модуля кондиционеров и стиральных машин:

— ИМС драйвера затворов верхнего ключа;

— ИМС драйвера затворов нижнего ключа;

— FRD диоды 600В, 12 и 22А;

— IGBT транзисторы 600В, 12 и 22А.

Ноябрь 2013 Разработан комплект кристаллов для модуля зажигания грузовых автомобилей:
— биполярная ИМС контроллера зажигания;- мощный NPN транзистор Дарлингтона
Июнь — Октябрь 2012 Разработанасерия кристалловбиполярных ИС LED– драйверов 1501, 1503, 1504, 1505
Март 2012 Разработана система плавного старта для переключающих стабилизаторов напряжения
Разработано устройство питания сверхмощных светодиодов.
Ноябрь 2011 Разработан кристалл ИС 4х2 коммутатора на 0,25-2,15 ГГц.
Апрель 2011 Разработан кристалл ИС синхронного понижающего конвертора на ток 5А с встроенным DMOSтранзистором.
Март 2011

 

Разработана конструкция и топология кристаллов MOSFET транзисторов 4-го поколения на 800-1000В.
Март — декабрь 2010 Разработана серия кристаллов BCD ИМС синхронных и асинхронных DC-DCконвертеров на ток до 3А с встроенным мощным DMOS транзистором (типа МР1482, МР1583, МР2307)
Май — Октябрь 2010 Разработанасерия кристалловбиполярных ИС типов:

— 1500BL — Электронный балласт для люминесцентныхламп, ламп высокого давления,ксеноновых автомобильных ламп;

— 3842 – ИМС ШИМ контроллера;

— 1017 – LDO преобразователь типа LM317,

— 2020 – ИМС драйвера затвора нижнего ключа.

Апрель 2010 Разработан PDKдля биполярной 40В технологии с проектными номами 1,5мкм для проектирования ИМС с уменьшенными размерами.
Май 2010 Разработка и постановка 0,8мкм 30В BCD техпроцесса
Апрель 2010 Разработана технология изготовления мощных высоковольтных IGBT транзисторов на эпитаксиальной основе, а также топология и конструкция кристалла с характеристиками 1200В/50А для производства по данной технологии
Январь2009 Усовершенствована 40В биполярная технология с проектными нормами 1,5мкм для изготовления ИМС с уменьшенными размерами
Декабрь 2008 Разработан кристалл ИС понижающего регулятора напряжения на ток 3А, полного функционального аналога ИМС LM2596
Март 2008 Разработано программное обеспечение для контроля корректности файлов данных дизайн-проектов изделий полупроводниковой микроэлектроники GDSIIформата
Май 2007 Разработана серия мощных МОП-транзисторов 1 – 7А 400 – 650В .
Март 2007 Разработка и постановка 4-й генерации 400 — 650 В техпроцесса изготовления мощных МОП — транзисторов
Сентябрь 2006 Разработана серия мощных МОП-транзисторов 10 – 75А 55 – 100В .
Июнь 2006 Разработка и постановка 5-й генерации 55-150 В техпроцесса изготовления мощных МОП — транзисторов
Декабрь 2005 Разработанасерия мощных МОП-транзисторов 1 – 7А 400 – 650В .
Октябрь 2005 Разработка и постановка 3-й генерации 400 — 650 В техпроцесса изготовления мощных МОП — транзисторов
Январь 2003 Разработка и постановка усовершенствованного 12В 1мкм биполярного техпроцесса для масштабирования ИМС
Заявка на авто

×
Заказ обратного звонка
[contact-form-7 404 "Not Found"]
×
Расчет стоимости

[wpcc id=»1″]

×
Сдать свой авто в аренду

 

[contact-form-7 404 "Not Found"]
×
Написать нам
×